激光二极管抽运Tm:YAP2μm激光器研究

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  摘 要:该文报道了一种室温条件下795 nm的激光二极管(LD)端面抽运连续掺铥铝酸钇(Tm:YAP)激光器。产生人眼安全波段的激光输出,利用掺杂浓度为3at%,a轴切割,尺寸为3×3×10 mm3的Tm:YAP晶体,采用平凹腔结构,当输出镜透过率T=10%时,获得最大输出功率6.87 W的1988 nm连续激光输出,斜率效率39.4%。x和y方向上的光束质量M2因子分别为1.34和1.38。可以作为3-5 μm、8-12 μm波段可调谐光参量振荡器(OP)有效抽运源。
  关键词:2μm Tm:YAP晶体 激光二极管抽运 激光器
  中图分类号:G64 文献标识码:A 文章编号:1674-098X(2015)10(a)-0155-02
  激光二极管(LD)泵浦Tm3+产生的2 μm波段处于人眼安全波段,在中红外激光器领域很有广泛的应用[1],如:大气监测、激光医疗、激光雷达,激光遥感、激光测距等[2]。此外2 μm波段激光还是产生常温3-5 μm、8-12 μm波段可调谐光参量振荡器(OPO)有效抽运源[3]。可用于红外激光侦测、干扰技术[4]等。
  近年来国内外在2 μm波段激光方面进行了大量研究,在掺Tm3+的铝酸钇(YAP)晶体为工作物质的2 μm激光器研究上取得了很多阶段性成果?。2006年英国的Thangavel Thevar报道了室温下LD抽运连续Tm:YAP激光器。Tm3+掺杂浓度为3%,晶体尺寸为2 mm×4 mm×5 mm,抽运能量为30 mJ,产生了1.99 μm,370 mW的激光输出,斜效率为9.6%[5];2010年北京理工大学报道了a轴切割,掺杂浓度5%,尺寸为3×3×5 mm3,输出波长1.99 μm的激光器,抽运功率2.4 W,输出功率588 mW,斜率效率41.5%,M2在x方向为1.44,在y方向为1.43[6]。同年张晓娟等报道了室温工作的全固态Tm:YAP激光器,泵浦原采用了GaAS半导体激光器,获得输出波长1.99 μm,最大输出功率13.5 W,光-光转换效率28.2%,斜率效率36%,而没有对光束质量进行报道[7]。该文采用中心波长为795 nm的激光二极管为抽运源,以a轴切割Tm:YAP晶体为工作物质实现中心波长为1988 nm激光输出,抽运功率为21.15 W时,输出功率可达6.87 W,斜率效率39.4%,x和y方向上的光束质量可达1.34和1.38。
  1 实验装置
  单端抽运Tm:YAP连续激光器实验结构如图1所示。抽运源采用中心波长795 nm的光纤激光器,将抽运光通过聚焦耦合镜f1和f2耦合到Tm:YAP晶体内部,焦距分别为25 mm和50 mm;Tm:YAP晶体采用掺杂浓度为3%,a轴切割,尺寸为3×3×10 mm3,晶体两端镀有对795nm和1.99 μm的高透膜(R<0.5%);晶体放在铜热沉中,用厚度为0.1 nm的铟箔包裹,M1镀有对795 nm高透(R<0.5%),1.99 μm高反(R>99.5%)的膜;输出镜M2采用平凹镜,曲率半径为200 mm,镀有对1.99 μm(R>99.5%)透过率为10%和15%的高透膜。
  2 实验结果及分析
  搭建实验光路,测量当T=10%,R=200 mm时,腔长分别为80 mm、100 mm、120 mm输出激光进行测量,图2为不同腔长情况下,输出功率随抽运功率变化曲线,从实验数据得到两者基本呈线性关系,随着输入功率增大,输出功率随之增大,在腔长为80 mm、100 mm、120 mm下,激光器输出最大功率分别为6.87 W、5.91 W、5.01 W,对应的斜率效率分别为39.4%、34.8%和26.9%。即随着腔长增加,输出功率会减小,短腔长可以获得更大的输出功率,腔长80 mm,抽运功率达到21.15 W时,获得功率为6.87 W的输出。
  采用YOKOGAWA公司的AQ6375Co型光谱仪和美国Spiricon公司的Pyrocam-Ⅲ型光束质量分析仪分别对T=10%,R=200 mm时,腔长为80 mm时输出激光进行测量,光谱图和光斑图分别如图3所示。可得到其输出中心波长为1988 nm,谱线宽度为2.67 nm,x和y方向上最好的光束质量为1.34和1.38。
  3 结论
  该文采用激光二极管端面抽运a轴切割的Tm:YAP晶体,获得了1988 nm连续激光输出。当输出镜透过率T=10%,腔长为80 mm,抽运功率达到21.15 W时,获得了6.87 W连续波输出,中心波长为1988 nm,谱线宽度为2.67 nm,斜率效率为39.4%,其x和y方向上最好的光束质量为1.34和1.38。利用该系统获得的激光输出,目前在国内处于领先水平。
  参考文献
  [1] Hamit Kalaycioglu, Alphan Sennaroglu,Adnan Kurt.Influence of Doping Concentration on the Power Performance of Diode-Pumped Continuous-Wave Tm3+:YAlO3 Lasers.IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS,2005,11(3):667-673.
  [2] Petr Koranda,Jan Sulc,Maxim Doroshenko et al..Cr:ZnSe laser pumped with Tm:YAP microchip laser[C].Soild State Lasers XIX: Technology and Devices,2010.
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