Electric properties of Ge quantum dot embedded in Si matrix

来源 :Journal of Central South University of Technology(English Ed | 被引量 : 0次 | 上传用户：longaizj21

【摘要】

：

The electric characteristics of Ge quantum dot grown by molecular beam epitaxy in Si matrix were investigated by admittance spectroscopy and deep level transien

【作者】

：

马锡英施维林

【机构】

：

InstituteofPhotoelectricalMaterials

【出处】

：

Journal of Central South University of Technology(English Ed

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

锗量子点导纳光谱学深部瞬时频谱学硅矩阵 Ge quantum dot admittance spectroscopy deep level transie

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The electric characteristics of Ge quantum dot grown by molecular beam epitaxy in Si matrix were investigated by admittance spectroscopy and deep level transient spectroscopy. The admittance spectroscopy measurements show that the activation energy of 0.3

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