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四配位非晶碳薄膜的研究进展

来源 :新型炭材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：love916579208

【摘 要】

：

四配位非碳薄膜是近年来发展的一种新型宽带隙半导体材料，具有独特的物理化学特性，本文对四配位非晶碳薄膜的研究意义，制备方法，形成机理，结构和性能表征及应用前景作较全面的介绍

【作 者】

：

魏爱香 周友国 

【机 构】

：

海军广州舰艇学院

【出 处】

：

新型炭材料

【发表日期】

：

2000年4期

【关键词】

：

四配位非晶碳薄膜 制备方法 形成机理 结构 性能 Tetrahedral amorphous carbon  Deposition process  Growt 

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四配位非碳薄膜是近年来发展的一种新型宽带隙半导体材料，具有独特的物理化学特性，本文对四配位非晶碳薄膜的研究意义，制备方法，形成机理，结构和性能表征及应用前景作较全面的介绍。

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