MOS晶体管失配模型研究及应用

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mikamireiko

【摘要】

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采用0.18μm CMOS工艺,研究在模拟集成电路中MOS管的失配.通过分析MOS管在饱和区失配因素,优化MOS管失配模型,提出用最小二乘曲线拟合法进行相关模型参数提取.并根据这些参数

【作者】

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龚俊平冯全源

【机构】

：

西南交通大学微电子研究所

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2009年11期

【关键词】

：

失配模型电导系数阈值电压标准方差蒙特卡罗 mismatch model current factor threshold voltage stan

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采用0.18μm CMOS工艺,研究在模拟集成电路中MOS管的失配.通过分析MOS管在饱和区失配因素,优化MOS管失配模型,提出用最小二乘曲线拟合法进行相关模型参数提取.并根据这些参数对基本电路的失配进行预测和分析,给出改善MOS管匹配性的方法.这为相应的集成电路设计中存在的失配提供了理论依据.

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