RESURF LDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型

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提出了RESURF LDMOS功率器件的表面电场分布和击穿电压的解析模型,根据二维泊松方程的求解,得到了与器件参数和偏压相关的表面电场和电势分布解析表达式,在此基础上,推出了获得击穿电压和比导通电阻最好的折中的优化条件,该解析结果与半导体器件数值分析工具MEDICI得到了数值分析结果和先前的实验数据基本一致,证明了解析模型的适用性。
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