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本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温(700℃左右)下生长InGaAlP外延层时，抑制In组分脱吸附的"动压力模型".解释了托盘转速和生长压力等生长参数对In组分控制的影响.
LP-MOCVD生长 InGaA1P外延层In组分控制的动力学分析
【摘 要】
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本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温(700℃左右)下生长InGaAlP外延层时，抑制In组分脱吸附的"动压力模型".解释了托盘转速和生长压力等生长参数对
【机 构】
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华南理工大学应用物理系；华南师范大学MOCVD实验室,
【出 处】
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量子电子学报
【发表日期】
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2004年期
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