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用真空蒸发聚合法合成了亚微米厚度的芳香族聚脲薄膜。红外吸收和元素分析表明，沉积原状薄膜处于低聚状态（３－６单体分子），它的香分子化是在热极化或热处理过程中完成的。极化后的聚脲高分子在室温和１０Ｈｚ的频率下测定应力压电常数，应变压电常数，弹性常数，热释电系数，介电常数和介电损耗分别为２０ｍＣ／ｍ＾２，１０ｐｃ／Ｎ，２．２ＧＮ／ｍ＾２，１８μＣ／ｍ＾２Ｋ，４．０和０．００５。芳香族聚脲薄膜的压电和热释