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简要介绍了集成电路互连线建模发展的历史。回顾了曾广泛使用的一维电迁移引起的回流模型。基于原子通量散度的概念，电迁移建模可以分为两种方法。一种是常用的扩散路径法，该方法能够解释传统的铝片上金属互连的许多重要电迁移现象。然而，随着芯片尺寸越来越小，工业界为了追求更好的性能，转向了使用铜／低k组合作为互连材料，同时引进了三维集成电路技术。顺应这种趋势，第二种驱动力电迁移建模方法发展了起来，该方法有助于人们理解窄互连工艺中的许多现象。有限元模拟也越来越多地用于驱动力分析法。