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采用CVD法以金属镓（Ga）和氨气（NH3）为原料，在镀有A1膜的蓝宝石衬底上成功地制备了GaN多晶薄膜。采用高分辨X射线衍射4％（HRXRD）、场发射电子扫描电镜（FESEM）、原子力显微镜（AFM）和光致发光能谱（PL）对样品进行了成分、形貌、表面粗糙度和发光性能分析。结果表明，制备的GaN薄膜为结晶性较好的六方纤锌矿GaN多晶薄膜，用266nm的激光作为激发光源时，光致发光谱中除出现354nm的近带边发射峰外，同时还观察到中心波长位于530nm附近的黄光发光峰及中心波长位于约637nm的红光发光峰。