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在有机无机杂化的卤素钙钛矿电池中,电子传输材料及其与吸收层之间的界面对提高光电转化效率起着重要作用。电子传输层的介观结构直接影响钙钛矿层的生长情况,而钙钛矿层的微结构决定了电池的稳定性和寿命。本文采用水热法制备TiO2纳米棒阵列薄膜作为电子传输材料,通过磁控溅射法在阵列薄膜与FTO衬底间插入致密TiO2阻挡层。研究结果发现TiO2阻挡层能够有效抑制电子空穴对在界面的复合,从而提高了开路电压。采用一步和两步化学溶液法制备了CH3NH3PbI3钙钛矿层,发现两步法制备的CH3NH3PbI3晶体质量明显提高,有