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单电子晶体管及其工艺制作技术
单电子晶体管及其工艺制作技术
来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kollisjordan
【摘 要】
:
基于库仑阻塞效应和量子尺寸效应工作的单电子晶体管(SET)由于具有超小器件尺寸、超低功耗、超低工作电流和超高工作频率等特点,受到人们的重视和深入研究.本文通过简要介绍S
【作 者】
:
郭辉
郭维廉
张世林
梁惠来
【机 构】
:
天津大学电信工程学院微电子系
【出 处】
:
微纳电子技术
【发表日期】
:
2002年4期
【关键词】
:
库仑阻塞
单电子晶体管
工艺制作技术
coulumbblockade
tunneling junction
single-electron transistor
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基于库仑阻塞效应和量子尺寸效应工作的单电子晶体管(SET)由于具有超小器件尺寸、超低功耗、超低工作电流和超高工作频率等特点,受到人们的重视和深入研究.本文通过简要介绍SET的器件结构、原理和特性,分析了实现SET的关键因素,回顾和评述了SET制作技术的进展及前景.
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