【摘 要】
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利用力学和电学性能测试、金相观察、电子背散射衍射（EBSD）分析等手段研究不同磷（P）、硅（Si）杂质含量对纯铜箔材再结晶行为的影响.轧态铜箔的晶粒沿轧制方向被拉长,呈现明显的加工
【机 构】
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中南大学物理与电子学院,中南大学材料科学与工程学院,中色奥博特铜铝业有限公司
【基金项目】
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国家重点研发计划项目（2016YFB0301300）
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利用力学和电学性能测试、金相观察、电子背散射衍射（EBSD）分析等手段研究不同磷（P）、硅（Si）杂质含量对纯铜箔材再结晶行为的影响.轧态铜箔的晶粒沿轧制方向被拉长,呈现明显的加工纤维组织,以小角度晶界、亚晶界为主.P和Si元素含量对压延纯铜箔的再结晶行为影响显著,160℃/h退火后,P和Si杂质元素含量较高的压延铜箔呈现部分再结晶组织,而P和Si杂质元素含量较低的压延铜箔为完全再结晶组织,取向差大于60°的大角度晶界占比明显增加,以完整晶粒、大角度晶界为主要特征.
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