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采用X射线光谱仪（XPS）和椭偏测试仪（sE）对GaN材料干氧氧化所得氧化物薄膜的组分、厚度、光学常数等物理特性进行了研究。当氧化温度为900℃、氧化时间为15～240min时，XPS测试结果表明，所得氧化物类型为Ga2O3,且由于大量O空位的存在，其表面Ga／O比率约为1．2。SE测试结果表明，GaN线性氧化速率约为40nm／h，呈抛物线生长，最终平均氧化速率约为25nm／h。在300～800nm测试范围内，Ga203折射率为1．9～2．2，与文献测试结果相符。但在300～400nm测试范围内存在反常色