有限负压下熔体硅中磷的挥发去除（英文）

来源 :中国有色金属学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sunto0724

【摘要】

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对有限负压下熔体硅中磷的挥发去除进行研究。采用电子级硅配制Si-P合金,并采用GD-MS来检测实验前后硅中的磷含量。理论计算结果表明：在有限负压下,硅中的磷以P和P2的气体形式

【作者】

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郑淞生 Jafar SAFARIAN Seongho SEO

【机构】

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厦门大学材料科学与工程系,DepartmentofMaterialScience,SiliconRefiningResearchTeam

【出处】

：

中国有色金属学报：英文版

【发表日期】

：

2011年3期

【关键词】

：

磷浓度熔体硅平衡分压温度真空度 phosphorus concentration molten silicon equilibrium partia

【基金项目】

：

Project （2007J0012） supported by the Natural Science Foundation of Fujian Province China, Project （2007HZ0005-2） supported by the Key Technological Program of Fujian Province China, Project （BASIC-103

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对有限负压下熔体硅中磷的挥发去除进行研究。采用电子级硅配制Si-P合金,并采用GD-MS来检测实验前后硅中的磷含量。理论计算结果表明：在有限负压下,硅中的磷以P和P2的气体形式从熔体硅中挥发。实验结果显示：在温度1873K、真空度0.6-0.8Pa、熔炼3600s的条件下,熔体硅中的磷从0.046%（460ppmw）下降到0.001%（10ppmw）。实验结果与理论结果一致表明：当熔体硅中磷的含量大且炉腔内气压相对较高时,磷的去除与气压高度相关;而当炉腔气压很低时,磷的去除基本与气压无关。原因是在相对高磷

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