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采用等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积（ＰＥＭＯＣＶＤ）工艺，在氧化性气氛（Ｏ２）和非氧化性气氛（Ｈ２、Ａｒ）中制备了含铁聚合物杂混薄膜。探讨了工作气氛和偏压对膜密度、沉积速率及其分布的影响。
工作气氛和偏压对含铁聚合物杂混薄膜制备的影响
【摘 要】
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采用等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积（ＰＥＭＯＣＶＤ）工艺，在氧化性气氛（Ｏ２）和非氧化性气氛（Ｈ２、Ａｒ）中制备了含铁聚合物杂混薄膜。探讨了工作气氛和偏压对膜密度、沉积速率及其分布的影响。
【机 构】
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中国科学院成都有机化学研究所
【出 处】
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合成化学
【发表日期】
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1997年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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