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单元素半导体量子点的制备成功使光电集成成为可能。介绍了单元素半导体量子点的制备方法，包括射频磁控溅射技术、硅离子注入技术、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等；并且介绍了单元素半导体量子点的发光机理模型，包括量子限制效应模型、与氧有关的缺陷发光、量子限制效应-发光中心复合发光和界面层中的激子效应发光等；另外对单元素半导体量子点的发展前景进行了展望。