【摘 要】
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本文报道在晶格失配ＧａＡｓ衬底上分子束外延Ｈｇ－ＣｄＴｅ薄膜的位错密度研究结果。用位错腐蚀坑密度（ＥＰＤ）、Ｘ射线双晶衍射以及透射电子显微镜方法，对ＣｄＴｅ缓冲层以及ＨｇＣｄＴｅ薄膜的位错密度、其纵向分布及与工艺条件
【机 构】
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半导体薄膜材料研究中心及红外物理国家重点实验室,中国科学院北京电子显微镜实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金,中国科学院资助
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本文报道在晶格失配ＧａＡｓ衬底上分子束外延Ｈｇ－ＣｄＴｅ薄膜的位错密度研究结果。用位错腐蚀坑密度（ＥＰＤ）、Ｘ射线双晶衍射以及透射电子显微镜方法，对ＣｄＴｅ缓冲层以及ＨｇＣｄＴｅ薄膜的位错密度、其纵向分布及与工艺条件的相关关系进行了评价、分析。研究发现退炎可以有效地降低ＨｇＣｄＴｅ薄膜的位错密度。
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