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本文提出了一种采用ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ工艺制造的平面微波变容管Ｃ－Ｖ特性解析模型，该模型着跟于小尺寸、平面化工艺及离子注入工艺，充分考虑了由其产生的栅下沟道串联电阻及侧电容对平面Ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｄｉｏｄｅＣ－Ｖ特性的影响，这些影响对平面变容管影响较显著而在已有的模型中是被忽略或示作详细讨论的，文中还给出了该模型的算例及与实验结果，已有的几种典型模型算例的比较。结果表明，本文模型中参数易确定，与