沉淀法制备Sm3+,Er3+与Nd3+一次共掺杂的BaTiO3基半导体陶瓷电容器

来源 :中国稀土学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a53479051

【摘要】

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在共沉淀法的基础上,通过双施主不同浓度的Nd3+和Sm3+,Er3+(4.0%～5.0%)掺杂,研究了BaTiO3基表面型陶瓷电容器的电性能,结果表明,Sm3+和Er3+的掺杂可以提高居里温度,但使介电常

【作者】

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柴艮风施哲陈玉林李春花

【机构】

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昆明理工大学材料与冶金学院

【出处】

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中国稀土学报

【发表日期】

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2006年z1期

【关键词】

：

共沉淀法半导体陶瓷电容器施主掺杂稀土 coprecititation semiconductors ceramic capacitors doping o

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在共沉淀法的基础上,通过双施主不同浓度的Nd3+和Sm3+,Er3+(4.0%～5.0%)掺杂,研究了BaTiO3基表面型陶瓷电容器的电性能,结果表明,Sm3+和Er3+的掺杂可以提高居里温度,但使介电常数降低,其含量为25%时可获得绝缘电阻500 MΩ左右,C/S为0.5895μf·cm-2电性能参数.

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