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2016年7月19日昭和电工（昭和鼋工株式会社）正式对外宣布．其与大阪大学菅沼克昭教授联合开发的耐高温SiC半导体基板已获得成功。通常对半导体基板要求能够承受200℃左右的高温，而该基板在300℃下也能正常工作，拥有良好的应用前景。
昭和电工开发耐高温（300℃）SiC半导体基板
【摘 要】
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2016年7月19日昭和电工（昭和鼋工株式会社）正式对外宣布．其与大阪大学菅沼克昭教授联合开发的耐高温SiC半导体基板已获得成功。通常对半导体基板要求能够承受200℃左右的高温，而
【出 处】
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无机盐工业
【发表日期】
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2016年10期
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