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5. Characteristics of Cu implantation into Si by PBII using UBMS cathode

Characteristics of Cu implantation into Si by PBII using UBMS cathode

来源 :Transactions of Nonferrous Metals Society of China | 被引量 : 0次 | 上传用户：lubiaofs

【摘 要】

：

The implantation of Cu into Si substrate was carried out by plasma-based ion implantation (PBII) using unbalanced magnetron sputtering (UBMS) cathode as the met

【作 者】

：

于伟东 夏立芳 孙跃 

【机 构】

：

SchoolofMaterialsScienceandEngineering

【出 处】

：

Transactions of Nonferrous Metals Society of China

【发表日期】

：

2001年2期

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The implantation of Cu into Si substrate was carried out by plasma-based ion implantation (PBII) using unbalanced magnetron sputtering (UBMS) cathode as the metal plasma source. The different pulse bias (Up) and the distance between the cathode and the sa

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