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本文用EER谱技术,在室温下对掺Te砷化镓(n=1×1018cm-3)样品进行了测量,对杂质的ER谱结构E1进行了分析,提出了电调制浅杂质态的物理模型,用F-K效应定性解释了杂质的ER谱.通过与未掺杂GaAs(n=7.7×1014cm-3)的ER谱相比较,定出了E1结构的线型及位置.
GaAs中Te施主杂质的EER谱
【摘 要】
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本文用EER谱技术,在室温下对掺Te砷化镓(n=1×1018cm-3)样品进行了测量,对杂质的ER谱结构E1进行了分析,提出了电调制浅杂质态的物理模型,用F-K效应定性解释了杂质的ER谱.
【机 构】
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北京师范大学物理系,北京师范大学物理系
【出 处】
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北京师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1985年4期
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