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针对反激变换器在MOSFET开通时刻存在电流尖峰的事实,详细分析了变压器分布电容和箝位二极管结电容对电流尖峰的影响。最后在PSIM中建立了反激变换器的仿真模型,仿真结果证实:由于变压器的分布电容与箝位二极管的结电容都会在MOSFET开通时刻进行充电,从而产生较大的充电电流,最终体现为MOSFET的开通电流尖峰。