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存储中Si片起“雾”是Si片存储面临的最大挑战，“雾”缺陷是可见或可印刷的晶体结构，从污染生长而来，已是困扰半导体业界长达10年以上的大问题。半导体制造商们至今还未能提出良好的解决方案。所以研究Si片的“雾”缺陷，并克服“雾”缺陷显得尤为迫切。从实际生产出发，根据实验数据分析和理论推导，建立了一个起“雾”原因基本模型，对引起“雾”缺陷影响因素进行了独立细致的分析，并在这个模型的基础上提出了相对应的有效的解决方案。