【摘 要】
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采用蒙特卡罗方法,对以CH4/H2为源料气体的电子助进化学气相沉积（EACVD）金刚石中的氢原子（Hα,Hβ和Hγ）、碳原子C（2p3s→2p2：λ=165.7 nm）以及CH（A2Δ→X2Π：λ=420-440 nm）的发射过程
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采用蒙特卡罗方法,对以CH4/H2为源料气体的电子助进化学气相沉积（EACVD）金刚石中的氢原子（Hα,Hβ和Hγ）、碳原子C（2p3s→2p2：λ=165.7 nm）以及CH（A2Δ→X2Π：λ=420-440 nm）的发射过程进行了模拟,研究了衬底温度对各发射谱线以及金刚石膜合成的影响。结果得知,各谱线强度随衬底温度的变化幅度很小,且在衬底表面附近的谱线强度随衬底温度的变化幅度相对于远离衬底的反应区域较大,这表明衬底温度的变化基本上不改变远离衬底的反应区域中反应基团成分,而只对衬底表面附近的反应过程有
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