【摘 要】
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研究了反应气体对辅助加热ＰＣＶＤ－ＴｉＮ薄膜制备的影响。结果表明，提高反应气体中ＴｉＣｌ４的含量ＴｉＮ薄膜内的氯含量基本不变。提高反应气体中的Ｈ２／Ｎ２比可以略降低薄膜内的氯含量，在Ｈ２／Ｎ２＝２、ＴｉＣｌ４约为１０％时ＴｉＮ薄膜的硬度最高，ＴｉＮ薄
【机 构】
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青岛化工学院等离子体表面技术研究所
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研究了反应气体对辅助加热ＰＣＶＤ－ＴｉＮ薄膜制备的影响。结果表明，提高反应气体中ＴｉＣｌ４的含量ＴｉＮ薄膜内的氯含量基本不变。提高反应气体中的Ｈ２／Ｎ２比可以略降低薄膜内的氯含量，在Ｈ２／Ｎ２＝２、ＴｉＣｌ４约为１０％时ＴｉＮ薄膜的硬度最高，ＴｉＮ薄膜仍呈柱状结构，具有较强的（２００）晶面织构。
The effect of reactive gas on the preparation of PCVD-TiN films was investigated. The results show that increasing the content of TiCl4 in the reaction gas does not change the chlorine content in the TiN film. Increasing the H2 / N2 ratio in the reaction gas can slightly reduce the chlorine content in the film. The TiN film has the highest hardness when H2 / N2 = 2 and TiCl4 is about 10%, and the TiN film has a columnar structure with a strong (200 ) Plane texture.
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