【摘 要】
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薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)是一种重要的有源电子元器件.微笔直写技术作为一种增材制造技术,因其能在三维(3D)曲面基板上直接实现电子元器件的增材制造而备受关注.基于微笔直写的微增材制造技术,采用氧化铟镓锌(IGZO)材料作为有源层,制备了IGZO-TFT器件.在最佳的工艺参数条件下得到的TFT器件迁移率为1.43 cm2/(V·s),开关电流比大于108.该迁移率与喷墨打印制备的IGZO-TFT器件的迁移率(1.41 cm2/(V·s))相近,低于通过旋涂制备的器件迁移
【机 构】
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华中科技大学 武汉光电国家研究中心 激光与太赫兹技术功能实验室, 湖北 武汉 430074;中国电子科技集团公司第二十九研究所, 四川 成都 610036
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薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)是一种重要的有源电子元器件.微笔直写技术作为一种增材制造技术,因其能在三维(3D)曲面基板上直接实现电子元器件的增材制造而备受关注.基于微笔直写的微增材制造技术,采用氧化铟镓锌(IGZO)材料作为有源层,制备了IGZO-TFT器件.在最佳的工艺参数条件下得到的TFT器件迁移率为1.43 cm2/(V·s),开关电流比大于108.该迁移率与喷墨打印制备的IGZO-TFT器件的迁移率(1.41 cm2/(V·s))相近,低于通过旋涂制备的器件迁移率(4.59 cm2/(V·s)).这表明微笔直写技术是一种可行的薄膜晶体管增材制造技术.
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