【摘 要】
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简单回顾了半导体材料的发展历史,并以基于氮化镓的高电子迁移率晶体管为例,介绍了第三代半导体器件的产热机制和热管理策略.以β相氧化镓为例,简单讨论了新兴的超宽禁带半导体的发展和热管理挑战.然后重点讨论了一些界面键合技术用于半导体散热的进展,同时指出这些器件中大量存在的界面散热的工程难题背后的科学问题:界面传热的物理理解.在回顾了之前界面传热的理论发展后,指出了理解界面传热当前遇到的一些困难、机遇和方向.
【机 构】
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伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校材料科学和工程系,伊利诺伊61801
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简单回顾了半导体材料的发展历史,并以基于氮化镓的高电子迁移率晶体管为例,介绍了第三代半导体器件的产热机制和热管理策略.以β相氧化镓为例,简单讨论了新兴的超宽禁带半导体的发展和热管理挑战.然后重点讨论了一些界面键合技术用于半导体散热的进展,同时指出这些器件中大量存在的界面散热的工程难题背后的科学问题:界面传热的物理理解.在回顾了之前界面传热的理论发展后,指出了理解界面传热当前遇到的一些困难、机遇和方向.
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