【摘 要】
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运用ANSYS软件建立了808nm高功率半导体激光器内部热源分析模型,并对其进行瞬态温度及稳态温度模拟,讨论了SiO2及A1N材料掩蔽膜对器件内部温度场分布的影响.结果表明,有源区
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
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运用ANSYS软件建立了808nm高功率半导体激光器内部热源分析模型,并对其进行瞬态温度及稳态温度模拟,讨论了SiO2及A1N材料掩蔽膜对器件内部温度场分布的影响.结果表明,有源区的平衡温度由器件的散热特性决定,用A1N材料代替SiO2材料制备掩蔽膜,能降低器件内部温度,更好的满足半导体激光器高效率工作的需要.
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