激光雷达用大功率小发散角脉冲激光器

来源 :半导体技术 | 被引量 : 2次 | 上传用户:comeonlinli
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研发了小发散角的900 nm波长四叠层隧道结大功率脉冲激光器芯片,设计了大出光面的四叠层材料结构。对比常规的三叠层隧道结激光器,该结构在垂直方向发散角减小的同时,斜率效率和功率均有大幅提升。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法实现外延材料的生长,通过半导体激光器制作工艺制成条宽为220μm、腔长为800μm的脉冲激光器芯片,再封装成器件并对其进行测试。测试结果表明,在25℃下,脉冲宽度为100 ns、重复频率为10 kHz、电流为50 A时,激光器输出功率可达150 W,此时远场的垂直发散角为22°。
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目的:分析帕金森病(PD)患者焦虑的临床特征和危险因素。方法:横断面调查PD患者,记录患者性别、起病年龄、病程、初始症状、改良H-Y分级、MDS-UPDRS-Ⅲ评分、是否伴发不安腿综合征(RLS)、贝克焦虑量表等临床资料,采用多变量Logistic方法分析PD焦虑的影响因素。结果:共收集263例PD患者,合并焦虑65例(24.7%),其中女性占36例。病程越长、H-Y分级和MDS-UPDRS-Ⅲ评
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以东坝车辆段咽喉区的厚板锥管为例,介绍了厚?板并通过本工程的应用,?证明了?厚板锥?管加工技术可?行?性。锥管加工方式和加工方法,详细阐述了壁板切割下料、壁板加工成型、锥管组装、锥管焊接等重点工序。
会议
设计并制备了780 nm大功率半导体激光器的单管和巴条。采用金属有机化学气相沉积技术制备的外延结构,分别使用GaAsP和GaInP作为量子阱和波导层,限制层是具有高带隙的AlGaInP材料。量子阱与波导层带隙0.15 eV,波导层与限制层带隙0.28 eV,抑制了载流子泄露。1.55μm厚非对称大光学腔波导结构抑制快轴高阶模,同时缓解腔面损伤问题。为进一步提高腔面损伤阈值,利用超高真空解理和钝化技
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级联H桥(cascade H-bridge, CHB)变换器由于其模块化结构,已成为大规模光伏(photovoltaic, PV)并网逆变器的优选方案。然而,在不同光照强度和温度下,不同区域PV组件之间发电功率不同,导致CHB变换器相间输出功率不均衡、不稳定等问题。为此,本文提出一种基于CHB结构的光储混合电能路由,在三相CHB光伏逆变器中配置少量的储能模块,利用光储协同控制,维持CHB内部功率稳
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为了提高1.55μm波段DFB激光器的输出性能及高温特性,制作了两种不同结构的InAlGaAs/InP大光腔激光器。两种激光器芯片均在外延设计上采用非对称结构,能够有效减少器件内吸收损耗,从而提高输出功率。对两种芯片均进行了不同腔长、发散角及高温性能测试,可以观测到采用较厚n侧限制层的芯片的输出功率更大。
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目的 评价ProGlide血管缝合器预缝合技术(PCT)在经皮穿刺静-动脉模式体外膜肺氧合(VA-ECMO)血管通路撤机止血中应用的有效性及安全性。方法 研究为前瞻性、观察性研究,连续入选2019年3月~2020年6月期间在空军军医大学西京医院心脏内科接受经皮穿刺VA-ECMO治疗的患者。将成功撤机并利用PCT技术完成血管通路缝合的患者纳入研究,分别记录PCT技术在股动、静脉的成功率及住院期间穿刺
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