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对940nm波长高功率线阵二极管激光器的封装结构进行了重新设计,并在此基础上开展了芯片的封装实验.封装出的线阵二极管激光器,在连续工作时输出激光功率达40W,在准连续工作时(占空比0.5%),输出峰值功率可达100W.
940nm波长高功率线阵二极管激光器封装研究
【摘 要】
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对940nm波长高功率线阵二极管激光器的封装结构进行了重新设计,并在此基础上开展了芯片的封装实验.封装出的线阵二极管激光器,在连续工作时输出激光功率达40W,在准连续工作时
【机 构】
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中国工程物理研究院,应用电子学研究所,四川,绵阳,621900
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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2004年期
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