氮化镓纳米粒子的制备及光致发光研究

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wnt

【摘要】

：

采用直接氮化法制备出尺寸不同的GaN纳米粒子,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱测试手段对所制样品进行表征和发光特性的研究.结果表明:所制

【作者】

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沈龙海富松石广立

【机构】

：

沈阳理工大学理学院

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2014年5期

【关键词】

：

GaN纳米粒子直接氮化法光致发光 Gallium nitride Nitrogen Photoluminescence

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采用直接氮化法制备出尺寸不同的GaN纳米粒子,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱测试手段对所制样品进行表征和发光特性的研究.结果表明:所制备的两种GaN纳米粒子直径分别为100 nm和300 nm左右.在GaN纳米粒子的PL谱中,中心在357 nm的发射源于本征发光,中心在385 nm的发射带源于浅施主能级到价带的辐射复合,中心在560 nm左右的发射带源于浅施主能级到深受主能级间的施主-受主对辐射发光.

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