锗(Ge)基先进场效应晶体管技术研究进展

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传统硅(Si)基集成电路制造工艺已经进入7 nm节点,继续减小器件尺寸变得愈发困难.半导体材料锗(Ge),具有比硅更高的载流子迁移率,能够实现器件性能的大幅提升.本文从栅极堆垛(gate stack)、源漏工程(source/drain engineering)和新器件结构(new device structures) 3个角度总结了Ge器件的最新研究成果.研究表明,锗沟道器件中诸多关键科学和工程问题仍未得到有效解决,从基本的器件制备工艺到深层次的器件物理问题都亟待深入研究与克服.但是, Ge器件是
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目的:探讨半显微性状鉴定法用于中药材真伪鉴定中的价值。方法:以体视显微镜、放大镜及扫描仪3种不同方式进行鉴定,分析鉴定结果。研究对象取两组容易混淆的药物,即鹤虱与蛇床子作为一组、虞美人与罂粟果实作为一组。结果:3种鉴别方式各有特点,放大镜价格较便宜,携带方便,能够实现对鹤虱与蛇床子的鉴别,但对虞美人与罂粟的鉴别难度相对较大;扫描仪较放大镜鉴别准确性更高,对两组药材均有一定的鉴别能力,但清晰度较半显
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为了更好地保障数据拼接的有效性,提出基于线结构光的3D手持扫描仪数据拼接方法。通过对数据拼接过程中产生的差异数值进行加权计算,优化其特征权重,获取数据共性特征,并对数据特征参数曲率进行计算,对计算结果进行去噪处理,从而有效实现对3D手持扫描仪数据拼接方法的优化。最后通过实验证明,基于线结构光的3D手持扫描仪数据拼接方法相对于传统方法而言有更高的有效性和实用性,充分满足研究要求。
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