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采用射频磁控溅射法在ITO玻璃表面沉积了一层15 nm左右的SnO2薄膜。利用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪、场发射电子显微镜及紫外–可见–近红外光谱仪分析了所制薄膜的电学性质、表面形貌和光学性质。结果表明，在300~600 ℃退火后镀有SnO2覆盖层的ITO（SnO2/ITO）薄膜具有相对好的热学稳定性。在600 ℃退火后，ITO薄膜的方阻和电阻率分别为88.3 Ω/□和2.5×10–3 Ω·cm，而此时，SnO2/ITO薄膜的方阻和电阻率仅为43.8 Ω/□和1.2×1