硅平面型晶体管C—E击穿特性曲线的一种异常现象

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在对中功率开关管3DK4功率寿命试验不合格器件,进行分析的过程中,我们无意中从JT-1图示仪所显示的C-E击穿特性曲线中,发现一种不多见的异常现象:即在一般所见的C-E击穿特性曲线上,附加一条隆起的曲线,按习惯叫法称为“鼓包”。 对78年生产的正品中功率晶体管,近4万只统计结果,有所谓“鼓包”现象的,所占比例约为0.16%。为进一步揭示“鼓包”产生的原因,对器件性能的影响,我们进行了一系列试验,现将有关内容报告如下。
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