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本文描述了以国产设备为基础研制出的轻掺杂漏MOS FET.测试结果表明,轻掺杂漏MOS FET能够有效地抗热载流子效应及短沟道效应,速度也较快。
轻掺杂漏（LDD）MOS FET工艺研究
【摘 要】
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本文描述了以国产设备为基础研制出的轻掺杂漏MOS FET.测试结果表明,轻掺杂漏MOS FET能够有效地抗热载流子效应及短沟道效应,速度也较快。
【机 构】
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骊山微电子学研究所,骊山微电子学研究所陕西临潼,陕西临潼,陕西临潼
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1989年1期
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