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在重掺砷（As）衬底上生长外延层一直是外延工艺难点。外延工艺过程中由于衬底的掺杂浓度与外延层的掺杂浓度相差很大，自掺杂与固态外扩散现象严重，使得外延过渡区变宽，工艺很难控制。在确保外延层晶格结构完整、表面质量完美的前提下，适当增加外延生长速率、降低外延生长温度可减小自掺杂与固态外扩散的影响。结合多晶硅背封法、二步外延法等对工艺过程进行优化，可有效抑制自掺杂现象从而提高外延片的质量。