攻克100nm技术面临的技术难关

来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：milo_pine

【摘要】

：

从势垒层和籽晶层、低ｋ介质、检测和计量以及光刻等方面详细阐述了１００ｎｍ技术的开发情况及其所面临的问题。

【作者】

：

付士萍彭官忠

【机构】

：

电子十三所

【出处】

：

半导体情报

【发表日期】

：

2000年6期

【关键词】

：

光刻势垒籽晶层低K介质缺陷检测半导体 lithography barrier seed layer low-k dielectric defect i

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从势垒层和籽晶层、低ｋ介质、检测和计量以及光刻等方面详细阐述了１００ｎｍ技术的开发情况及其所面临的问题。

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