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为了克服大尺寸静电放电损伤防护元件存在的不均匀导通情况．提出了一种改进的静电放电损伤保护电路方案．该方案利用栅漏交叠区的结扩散电容作为耦合元件．电容耦合作用使大尺寸元件在静电放电损伤事件发生时能够均匀导通．从而有效提高静电放电损伤保护电路的抗静电能力．
CMOS工艺中栅耦合ESD保护电路
【摘 要】
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为了克服大尺寸静电放电损伤防护元件存在的不均匀导通情况．提出了一种改进的静电放电损伤保护电路方案．该方案利用栅漏交叠区的结扩散电容作为耦合元件．电容耦合作用使大尺寸元
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
【出 处】
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西安电子科技大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2006年4期
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