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研究了不同后烘情况下的PAC浓度分布和抗蚀剂的显影轮廓，结果表明适当的后烘可明显减小驻波缺陷，提高光刻质量，而过量的后烘将会导致抗蚀剂图形结构劣化。
后烘对驻波效应的影响分析
【摘 要】
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研究了不同后烘情况下的PAC浓度分布和抗蚀剂的显影轮廓，结果表明适当的后烘可明显减小驻波缺陷，提高光刻质量，而过量的后烘将会导致抗蚀剂图形结构劣化。
【机 构】
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乐山师范学院物理与电子信息科学系
【出 处】
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乐山师范学院学报
【发表日期】
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2004年12期
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