【摘 要】
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应用射频磁控共溅射方法,分别在InP薄片与磁控靶底座紧接触(方法1)和InP薄片放在石英靶表面(方法2)两种情况下制备了 InP/SiO2复合薄膜,并分别在高纯H2中和在P气氛中对薄膜进
【机 构】
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中山大学超快速激光光谱国家重点实验室,五邑大学,中山大学超快速激光光谱国家重点实验室
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应用射频磁控共溅射方法,分别在InP薄片与磁控靶底座紧接触(方法1)和InP薄片放在石英靶表面(方法2)两种情况下制备了 InP/SiO2复合薄膜,并分别在高纯H2中和在P气氛中对薄膜进行了热处理X射线光电子能谱表明,对于用方法1制备的复合膜,其SiO2中的氧缺位、P和 In的氧化物的含量都比用方法2的少得多X射线和卢瑟福背散射实验结果表明,在P气氛下的高温 (520℃)热处理,可以彻底地消除这些氧缺位和氧化物而得到符合化学计量的InP/SiO2纳米颗粒复合薄膜复合薄膜的光致发光特性与制备工艺密切相关较详
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