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本文研究了一种基于动态栅极悬浮技术的ESD保护电路,并根据全芯片ESD防护的要求设计了试验电路.采用TSMC 0.18 μ m CMOS工艺实现了试验电路,测试显示芯片的ESD失效电压达到了7kV.
一种应用于深亚微米CMOS工艺的ESD保护电路
【摘 要】
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本文研究了一种基于动态栅极悬浮技术的ESD保护电路,并根据全芯片ESD防护的要求设计了试验电路.采用TSMC 0.18 μ m CMOS工艺实现了试验电路,测试显示芯片的ESD失效电压达到
【机 构】
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东南大学射频与光电集成电路研究所
【出 处】
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电子与封装
【发表日期】
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2005年8期
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