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应用电子束射线对单向微触发可控硅晶圆片进行不同条件的辐照，使用晶体管图示仪测试其门极触发电流和通态电压，研究了辐照剂量、剂量率对门极触发电流和通态电压的影响，使用不同的退火工艺对辐照后的可控硅进行退火实验，监测其退火后参数的变化。实验表明，门极触发电流随辐照剂量的增加而迅速增大，辐照剂量在20kGy以下时，通态电压基本没有增加；门极触发电流在可控硅约225℃以下退火时，存在反退火现象，继续提高退火温度又表现出正常的退火结果；1．5MeV电子辐照技术不仅能有效提高可控硅门板触发电流．还能提高晶圆片门极触发电