【摘 要】
：
采用原位磷注入法合成了不同化学配比的磷化铟(InP)多晶.分析了熔体温度、磷泡压力和环境压力对合成速率的影响;对不同化学配比的多晶样品进行霍尔测试和辉光放电质谱(GDMS)
【机 构】
：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051中国电子科技南湖研究院,浙江嘉兴 314051;
论文部分内容阅读
采用原位磷注入法合成了不同化学配比的磷化铟(InP)多晶.分析了熔体温度、磷泡压力和环境压力对合成速率的影响;对不同化学配比的多晶样品进行霍尔测试和辉光放电质谱(GDMS)测试,分析了影响InP多晶纯度的因素.结果 表明,合成时熔体温度为1 353～1 370 K时,熔体呈富磷或者化学配比状态,熔体温度高于1 370 K或低于1 353 K时,熔体呈富铟状态;合成过程中,通过调节源炉升温的速度来控制磷泡内压力与环境压力,避免熔体倒吸堵住注入口引起炸泡,并最大程度地减少磷的损失;合成时熔体温度高于1 370 K会造成合成的多晶呈富铟状态、合成时间较长,且石英坩埚中的Si元素长时间在高温下会对熔体造成沾污,从而降低多晶纯度.
其他文献
通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率.结果 表明,在
设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1 700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备.
基于体硅微电子机械系统(MEMS)工艺,采用多层基片集成波导(SIW)谐振腔的垂直堆叠耦合结构研制了一款工作在K/Ka波段的SIW双工器.实测结果表明:在K波段的接收通带内,该双工器
为提高激光雷达系统的探测距离和空间探测精度,并减少其体积及成本,研制了一款16线集成窄脉冲半导体激光器模块,该模块主要包括高密度排列的激光器芯片、集成驱动电路及光电
冰雪过后,回望媒体在灾害期间的表现与作为,其得失之间,可以管窥媒体进一步改革与创新的些许方向性做法。在年初的抗击雨雪冰冻灾害中,中央人民广播电台中国之声的特别直播《
基于硅片研磨后清洗工艺的方法和原理,通过分析硅片在加工过程中污染物的种类和硅片表面的吸附性质,配制出由氢氧化钾、烷基苯磺酸盐、聚氧乙烯烷基醚为原材料构成的清洗剂.