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建立了（4，4）碳纳米管／碳化硅纳米管异质结的模型，采用非平衡格林函数法计算了该异质结的输运特性．从异质结的分子投影自洽哈密顿量的本征轨道，可以看出最高占据分子轨道和最低空轨道均位于碳纳米管侧，其能带间隙约为0．48eV；从其伏安特性可以看出，在正负偏压下开启电压为＋2．0V和-1．6V．
（4，4）碳纳米管／碳化硅纳米管异质结的输运特性
【摘 要】
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建立了（4，4）碳纳米管／碳化硅纳米管异质结的模型，采用非平衡格林函数法计算了该异质结的输运特性．从异质结的分子投影自洽哈密顿量的本征轨道，可以看出最高占据分子轨道和最低空轨道
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安石油大学电子工程学院
【出 处】
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西安电子科技大学学报
【发表日期】
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2010年3期
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