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设计一种能够工作在超低电源电压下的CMOS开关．该结构运用电压倍增器获得高压，此高压使开关产生的恒定大跨导和大信号摆幅能够在低压电路中传输信号，虚拟开关提高了信号传输精度．在分析电路工作机理的基础上，结合0．35μm标准工艺模型优化了电路参数．合理的电路结构设计和版图设计增加了电路的使用寿命．理论分析和Hspice模拟结果表明：该结构能够在低于1V电源电压下工作，虚拟开关的应用使信号传输精度从69％提高到99．7％．该结构实现了低压下高精度的模拟开关设计．