【摘 要】
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本文采用开放体系对两单质加反应促进剂I2合成的ZnSe多晶原料进行了提纯。以高纯氩气为保护气体,提纯温度分别为500℃、550℃和800℃。能谱分析（EDS）和热重图谱（TG）结果表明：800℃
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本文采用开放体系对两单质加反应促进剂I2合成的ZnSe多晶原料进行了提纯。以高纯氩气为保护气体,提纯温度分别为500℃、550℃和800℃。能谱分析（EDS）和热重图谱（TG）结果表明：800℃处理后的ZnSe多晶原料,其化学计量比与理想化学计量比非常接近,而且升华开始温度提高到了850℃以上。运用化学气相输运（CVT）法进行晶体生长结果进一步表明,以800℃处理后的ZnSe多晶为原料时,消除了单质Se在生长区沉积对晶体成核生长的影响,达到了CVT法晶体生长对原料的要求。此外,以混合气体（H210%＋Ar
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