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金红石型TiO2是一种非常好的稀磁半导体材料，其自身的本征缺陷与室温铁磁性起源密切相关。本文利用Doppler程序在广义梯度理论（ GGA）的基础上，计算了正电子在金红石型TiO2块材中不同缺陷处的湮没寿命。主要包括自由态正电子的湮没寿命，单空位和双空位处束缚态正电子的湮没寿命。并从理论上给出了含有空位缺陷时金红石型TiO2的符合多普勒展宽能谱。