室温铁磁性半导体MnxGa1-xSb

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【摘要】

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采用离子注入、离子淀积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶MnxGa1-xSb, 在室温下(300 K)获得了单晶的磁滞回线. 用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶MnxGa1-xSb的结构,

【作者】

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陈诺夫张富强杨君玲刘志凯杨少延柴春林王占国胡文

【机构】

：

中国科学院半导体研究所,中国科学院力学研究所

【出处】

：

科学通报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

MnxGa1-xSb 铁磁性稀磁半导体

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采用离子注入、离子淀积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶MnxGa1-xSb, 在室温下(300 K)获得了单晶的磁滞回线. 用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶MnxGa1-xSb的结构, 用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布. 由X射线衍射得知, MnxGa1-xSb中Mn含量逐渐由近表面处的x = 0.09下降到晶片内部的x = 0. 电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1×1021 cm-3, 表明MnxGa1-xSb单晶中大部分Mn原子占据Ga位, 起受主作用.

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