【摘 要】
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针对晶体硅表面织构化抵消部分减反射增益的问题,在光面晶体硅电池表面复合三棱锥陷光织构膜来降低其反射损失,同时保留其光生伏特效应较高的优点.分析陷光膜的陷光机理,并通
【机 构】
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集美大学机械与能源工程学院,福建厦门,361021;厦门大学能源学院,福建厦门,361102
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针对晶体硅表面织构化抵消部分减反射增益的问题,在光面晶体硅电池表面复合三棱锥陷光织构膜来降低其反射损失,同时保留其光生伏特效应较高的优点.分析陷光膜的陷光机理,并通过光线追迹优化陷光膜表面三棱锥结构的几何参数.运用光学仿真与实验对比分析全波长内光面晶体硅电池、绒面晶体硅电池和复合陷光织构膜的光面晶体硅电池光学特性差异,采用加权计算方法定量评价3种晶体硅电池在全波长内的反射损失.实验分析表明,陷光膜可显著降低光面晶体硅电池反射损失,最终复合电池实测加权反射率为6.57％,比光面晶体硅电池和绒面晶体硅电池的加权反射率分别降低8.57％和1.65％;复合电池的光电转换效率达20.34％,比光面晶体硅电池和绒面晶体硅电池分别提高2.33％和1.18％.
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